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无线和射频半导体
BF 998 E6327参考图片

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BF 998 E6327

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-CH 12 V 30 mA
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数量单价合计
1
¥3.3787
3.3787
10
¥2.6329
26.329
100
¥1.4238
142.38
1,000
¥1.06785
1067.85
3,000
¥0.92208
2766.24
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
30 mA
Vds-漏源极击穿电压
12 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-143
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
配置
Single Dual Gate
高度
1 mm
长度
2.9 mm
系列
BF998
类型
RF Small Signal MOSFET
宽度
1.3 mm
商标
Infineon Technologies
通道模式
Enhancement
Pd-功率耗散
200 mW
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
8 V to 12 V
零件号别名
BF998E6327HTSA1 BF998E6327XT SP000010978
单位重量
10 mg
商品其它信息
优势价格,BF 998 E6327的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
PIN 二极管 HIGH FREQUENCY PIN (SOD-323)
1:¥3.616
10:¥2.5199
100:¥1.1639
1,000:¥0.89157
3,000:¥0.76049
参考库存:25111
无线和射频半导体
锁相环 - PLL 6.2 GHz Fractional-N Freq Synthesizer
1:¥48.9516
10:¥44.0248
25:¥41.4145
50:¥38.9624
参考库存:2123
无线和射频半导体
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1:¥3,734.198
25:¥3,682.0146
参考库存:1495
无线和射频半导体
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1:¥41.1885
10:¥34.9622
100:¥30.3518
250:¥28.7359
参考库存:7507
无线和射频半导体
射频放大器 2-6GHz GaN 12Watt Sm Sig. Gain 22dB
50:¥660.824
100:¥545.564
参考库存:1739
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