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无线和射频半导体
MMRF1312HSR5参考图片

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MMRF1312HSR5

  • NXP / Freescale
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MMRF1312HS/CFM4F///REEL 13
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¥4,367.6647
4367.6647
5
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10
¥4,236.4943
42364.943
25
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103626.3675
50
¥4,081.3566
204067.83
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
2.6 A
Vds-漏源极击穿电压
- 500 mV, 112 V
增益
19.6 dB
输出功率
1 kW
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
NI-1230S-4S-4
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
工作频率
900 MHz to 1.215 GHz
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP / Freescale
通道数量
2 Channel
Pd-功率耗散
1.053 kW
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 6 V, 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1.8 V
零件号别名
935316061178
单位重量
8.518 g
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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暂无价格
参考库存:45875

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