HMC452QS16GE详细信息_HMC452QS16GE相关参数PDF_Analog Devices / Hittite-维基芯城

无线和射频半导体

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Analog Devices Inc.
产品种类	射频放大器
RoHS	是
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	QSOP-16
类型	Power Amplifier
技术	GaAs InGaP
工作频率	0.4 GHz to 2.2 GHz
P1dB - 压缩点	31 dBm
增益	9 dB
工作电源电压	5 V
NF—噪声系数	7.5 dB
OIP3 - 三阶截点	48 dBm
工作电源电流	485 mA
最小工作温度	- 40 C
最大工作温度	+ 85 C
系列	HMC452
封装	Cut Tape
产品	InGaP/GaAs HBT
商标	Analog Devices / Hittite
通道数量	1 Channel
输入返回损失	11 dB
Pd-功率耗散	2.7 W
产品类型	RF Amplifier
工厂包装数量	50
子类别	Wireless & RF Integrated Circuits
单位重量	288 mg

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
MAX2181AETE+T	Maxim Integrated	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频放大器 FM Car Antenna LNA with AGC and Disconnected LDO	1:¥15.9104 10:¥14.9838 25:¥11.9893 50:¥11.3678 2,500:¥7.7631	参考库存:15830
QN9080CHNY	NXP Semiconductors	无线和射频半导体	PDF数据手册	RF片上系统 - SoC BLE 5 512 KB/128 KB	1:¥41.4936 10:¥35.2673 100:¥30.5778 250:¥29.041 3,000:¥20.905	参考库存:11417
CC2538SF53RTQT	Texas Instruments	无线和射频半导体	PDF数据手册	RF片上系统 - SoC IC RF ZigBee 802.15.4 SoC hi per	1:¥75.3032 10:¥68.0825 25:¥63.0088 100:¥56.3983 250:¥53.4829	参考库存:7559
MAX2679ENS+T	Maxim Integrated	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频放大器 Low NF (0.98dB) GPS LNA	1:¥8.7575 10:¥7.7631 25:¥7.006 50:¥4.5991 2,500:¥2.9041	参考库存:14491
AT88RF04C-MX1G	Microchip Technology / Atmel	无线和射频半导体	PDF数据手册	RFID应答器 CryptoRF2 1-4Kbit EEPROM ISO14443 TypB	1:¥6.7574 10:¥6.7009 25:¥6.1698 100:¥5.9325 8,467:¥5.9325	参考库存:23863