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无线和射频半导体

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MRFE8VP8600HR5

  • NXP / Freescale
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MRFE8VP8600H/CFM4F///REEL 13
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1205.7778
5
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5911.708
10
¥1,143.3001
11433.001
25
¥1,094.8909
27372.2725
50
¥1,079.9071
53995.355
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
Dual N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
2.8 A
Vds-漏源极击穿电压
- 500 mV, 115 V
增益
21 dB
输出功率
140 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
NI-1230H-4
封装
Cut Tape
封装
Reel
工作频率
470 MHz to 860 MHz
系列
MRFE8VP8600H
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP / Freescale
通道数量
2 Channel
Pd-功率耗散
1.25 kW
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 6 V, 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1.3 V
零件号别名
935318365178
单位重量
13.164 g
商品其它信息
优势价格,MRFE8VP8600HR5的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
RF片上系统 - SoC SmartConnect Chipset WINC1500 - SmartConnect Chipset WINC1500
1:¥50.4884
25:¥45.878
100:¥41.4936
1,000:¥40.9512
2,000:¥39.7986
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1:¥7.458
10:¥6.3054
100:¥4.8364
500:¥4.2827
4,000:¥2.9945
参考库存:52487
无线和射频半导体
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1:¥1,566.5416
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10:¥1,500.2219
25:¥1,478.0965
50:¥1,424.3876
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射频放大器 2.3-4.0GHz NF.77dB Gain 18 dB
1:¥81.5295
25:¥62.4664
100:¥48.7934
250:¥40.4201
2,500:¥27.8884
参考库存:20881
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