HMC788ACPSZ-EP-PT详细信息_HMC788ACPSZ-EP-PT相关参数PDF

无线和射频半导体

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Analog Devices Inc.
产品种类	射频放大器
RoHS	是
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	LFCSP-6
类型	RF Gain Block
技术	GaAs
工作频率	0.01 GHz to 10 GHz
P1dB - 压缩点	20 dBm
增益	14 dB
工作电源电压	4.5 V to 5.5 V
NF—噪声系数	6 dB
测试频率	0.01 GHz to 6 GHz
OIP3 - 三阶截点	33 dBm
工作电源电流	87 mA
最小工作温度	- 40 C
最大工作温度	+ 85 C
系列	HMC788
封装	Cut Tape
封装	Reel
商标	Analog Devices / Hittite
通道数量	1 Channel
输入返回损失	16 dB
隔离分贝	23 dB
湿度敏感性	Yes
Pd-功率耗散	0.76 W
产品类型	RF Amplifier
工厂包装数量	50
子类别	Wireless & RF Integrated Circuits

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
D2294UK	Semelab / TT Electronics	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 15W-12.5V-500MHz SE	50:¥544.1854 100:¥529.2016	参考库存:51336
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