HMC8410LP2FE详细信息_HMC8410LP2FE相关参数PDF

无线和射频半导体

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Analog Devices Inc.
产品种类	射频放大器
RoHS	是
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	LFCSP-6
类型	Low Noise Amplifier
技术	GaAs
工作频率	10 MHz to 10 GHz
P1dB - 压缩点	19.5 dBm
增益	16 dB
工作电源电压	5 V
NF—噪声系数	1.7 dB
测试频率	8 GHz to 10 GHz
OIP3 - 三阶截点	33 dBm
工作电源电流	65 mA
最小工作温度	- 40 C
最大工作温度	+ 85 C
系列	HMC8410
封装	Cut Tape
商标	Analog Devices
通道数量	1 Channel
输入返回损失	6 dB
湿度敏感性	Yes
Pd-功率耗散	1.3 W
产品类型	RF Amplifier
工厂包装数量	1
子类别	Wireless & RF Integrated Circuits

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
QPC3025TR13	Qorvo	无线和射频半导体	PDF数据手册	RF 开关 IC 30-4200MHz SPDT 30W pulsed 20W CW	2,500:¥32.9621	参考库存:46286
EFR32BG13P632F512GM32-CR	Silicon Labs	无线和射频半导体	PDF数据手册	RF片上系统 - SoC Blue Gecko BLE SoC QFN48 2.4 G 10 dB BLE/proprietary 512 kB 64 kB (RAM) 16GPIO	2,500:¥38.2618	参考库存:46291
SI2169-D60-GMR	Silicon Labs	无线和射频半导体	PDF数据手册	调节器/解调器 DVB-T2/S2X/S2/T/C/S Digital Demodualtor	2,500:¥50.2511	参考库存:46296
AFT09H310-04GSR6	NXP / Freescale	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 900MHZ 310W NI1230-4GS	150:¥1,030.3453	参考库存:46301
RF5511TR7	Qorvo	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频前端 2.4 to 2.5 GHz 0.6 dB IL, 5 dBm	2,500:¥5.3788	参考库存:46306