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无线和射频半导体

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Qorvo
产品种类	射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS	是
晶体管类型	HEMT
技术	GaN SiC
增益	21.8 dB
晶体管极性	N-Channel
Id-连续漏极电流	1.7 A
输出功率	178 W
最大漏极/栅极电压	65 V
最小工作温度	- 40 C
最大工作温度	+ 85 C
Pd-功率耗散	67 W
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	DFN-6
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
应用	Military Radar, Jammers,Test Instrumentation,Wideband or Narrowband Amplifiers,Land Mobile and Military Radio Communications
配置	Single Triple Drain
工作频率	1.2 GHz to 2.7 GHz
商标	Qorvo
开发套件	QPD1013EVB01
湿度敏感性	Yes
产品类型	RF JFET Transistors
工厂包装数量	100
子类别	Transistors

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
QPF4518TR7	Qorvo	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频前端 5150-5925MHz NF 2dB Gain TX 32dB RX 16dB	1:¥39.0302 25:¥34.578 250:¥31.7304 500:¥27.6624 750:¥27.6624	参考库存:8538
MAPS-010144-TR0500	MACOM	无线和射频半导体	PDF数据手册	相位探测器 / 移相器 2.3-3.8GHz IL:2.5dB 360 in 22.5 steps	1:¥183.9527 5:¥180.348 10:¥179.3423 25:¥165.5111 500:¥124.1757	参考库存:7355
SE5003L1-R	Skyworks Solutions, Inc.	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频放大器 5GHz 802.11ac Gain 32dB P1dB 32dBm	1:¥29.5834 10:¥26.4307 25:¥23.7413 100:¥21.6734 3,000:¥13.3679	参考库存:30842
T1G2028536-FS	Qorvo	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-2GHz P3dB 260W Gain 18dB@1.2GHz GaN	1:¥3,903.472 25:¥3,597.4228	参考库存:5044
TGA2526	Qorvo	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频放大器 2-20GHz LNA / Gain Block w/AGC	100:¥361.6113	参考库存:5921