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无线和射频半导体
MMBT5401-G参考图片

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MMBT5401-G

  • Comchip Technology
  • 新批次
  • 射频(RF)双极晶体管 VCEO=-150V IC=-600mA
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1
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2.147
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¥1.3673
13.673
100
¥0.62263
62.263
1,000
¥0.39211
392.11
3,000
¥0.29945
898.35
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Comchip Technology
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
是
系列
MMBT5401
晶体管类型
Bipolar Power
技术
Si
晶体管极性
PNP
直流集电极/Base Gain hfe Min
50
集电极—发射极最大电压 VCEO
- 150 V
发射极 - 基极电压 VEBO
- 5 V
集电极连续电流
- 0.6 A
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
配置
Single
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
工作频率
100 MHz
输出功率
-
类型
RF Bipolar Power
商标
Comchip Technology
Pd-功率耗散
300 mW
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
单位重量
8 mg
商品其它信息
优势价格，MMBT5401-G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
CC1350F128RHBR
Texas Instruments
无线和射频半导体
射频微控制器 - MCU Chameleon multi-protocol sub-1GHz/2.4GHz
1:¥54.7146
10:¥49.4827
25:¥45.7989
100:¥40.9512
3,000:¥29.8885
参考库存:9563
MAX2181ETE/V+
Maxim Integrated
无线和射频半导体
射频放大器 FM Automotive Low Noise Amplifier
1:¥67.0768
10:¥63.6981
25:¥44.7254
50:¥35.5724
参考库存:3435
QPA4563CTR7
Qorvo
无线和射频半导体
射频放大器 50-4000MHz 3V SiGe Gn 21.1dB -40C +105C
1:¥22.2836
25:¥16.7466
100:¥13.1419
250:¥10.7576
3,000:¥8.3733
参考库存:15967
MAX2612ETA+T
Maxim Integrated
无线和射频半导体
射频放大器 Broadband Gain Block
1:¥23.6622
10:¥22.3627
25:¥17.8992
50:¥16.9839
2,500:¥10.7576
参考库存:14164
QPA2213D
Qorvo
无线和射频半导体
射频放大器 QPA2213D DIE
10:¥1,429.224
30:¥1,114.18
100:¥868.292
参考库存:2116

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    50万现货SKU

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