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无线和射频半导体
HMC356LP3E参考图片

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HMC356LP3E

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库存:2,061(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥91.3605
91.3605
10
¥83.9816
839.816
25
¥80.5238
2013.095
100
¥70.9188
7091.88
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Analog Devices Inc.
产品种类
射频放大器
RoHS
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
QFN-16
类型
Low Noise Amplifier
技术
GaAs
工作频率
350 MHz to 550 MHz
P1dB - 压缩点
21 dBm
增益
17 dB
工作电源电压
5 V
NF—噪声系数
1 dB
OIP3 - 三阶截点
38 dBm
工作电源电流
104 mA
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 85 C
系列
HMC356
封装
Cut Tape
商标
Analog Devices / Hittite
通道数量
1 Channel
输入返回损失
17 dB
Pd-功率耗散
0.91 W
产品类型
RF Amplifier
工厂包装数量
50
子类别
Wireless & RF Integrated Circuits
单位重量
57.100 mg
商品其它信息
优势价格,HMC356LP3E的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
射频微控制器 - MCU RF+MCU 8051 25 MHz 32 kB +13 dBm
1:¥37.7307
10:¥35.6515
25:¥34.578
50:¥33.5045
参考库存:6184
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RFID应答器 RFID read/write 50x50x30mm EIP
1:¥10,457.8449
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锁相环 - PLL 3.3V Five Output Zero Delay Buffer
1:¥7.458
10:¥6.3167
100:¥4.859
500:¥4.2827
2,500:¥3.0058
参考库存:13043
无线和射频半导体
锁相环 - PLL Lo Jitter Clock Mult & Divider
1:¥77.3824
10:¥70.0035
50:¥64.7716
100:¥57.9351
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)
1:¥901.6383
2:¥873.6708
5:¥873.4448
10:¥845.24
参考库存:4417
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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