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无线和射频半导体
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PTFA080551E-V4-R0

  • Wolfspeed / Cree
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  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MOSFET
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参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
450 mA
Vds-漏源极击穿电压
65 V
Rds On-漏源导通电阻
150 mOhms
增益
18.5 dB
输出功率
55 W
安装风格
Screw Mount
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
工作频率
869 MHz to 960 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
Wolfspeed / Cree
通道数量
1 Channel
Pd-功率耗散
219 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 0.5 V to 12 V
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
商品其它信息
优势价格，PTFA080551E-V4-R0的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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