RFFM8505SR详细信息_RFFM8505SR相关参数PDF

无线和射频半导体

图片仅供参考，请参阅产品规格

购买、咨询产品请填写询价信息

询价型号*	数量*	批号	封装	品牌	其它要求

请确认联系方式，3分钟内即可给您回复

微信： QQ：

库存：2,474(价格仅供参考)

询价数量：

加入询价单立即询价

相关型号

数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Qorvo
产品种类	射频前端
RoHS	是
类型	Wi-Fi
工作频率	4.9 GHz to 5.85 GHz
NF—噪声系数	2.5 dB
工作电源电压	3.6 V
工作电源电流	260 mA
最大工作温度	+ 85 C
最大数据速率	6 Mb/s
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	QFN-16
封装	Reel
系列	RFFM8505SR
技术	Silicon
商标	Qorvo
增益	28 dB
开发套件	RFFM8505PCK-410
最小工作温度	- 40 C
湿度敏感性	Yes
P1dB - 压缩点	20 dBm
产品类型	RF Front End
工厂包装数量	100
子类别	Wireless & RF Integrated Circuits
零件号别名	RFFM8505

商品其它信息

优势价格，RFFM8505SR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。

推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
RFPA1702TR13	Qorvo	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频放大器 17.7-19.7GHz Gain 23dB	500:¥607.8044	参考库存:53469
MRF6V12500HSR5	NXP / Freescale	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 500W 50V NI780HS	50:¥2,720.9835	参考库存:53474
MMRF1312GSR5	NXP / Freescale	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MMRF1312GS/CFM4///REEL 13	50:¥4,089.0406	参考库存:53479
A2I20H080GNR1	NXP / Freescale	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频放大器 A2I20H080GN/FM15F///REEL 13 Q2 DP	500:¥333.6438	参考库存:53484
HMC644ALC5TR	Analog Devices / Hittite	无线和射频半导体	PDF数据手册	相位探测器 / 移相器 5-Bit dig Phase Shifter SMT, 15 - 18.5	100:¥1,052.0187	参考库存:53489