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无线和射频半导体
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AGR09045EF

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数量单价合计
1
¥507.144
507.144
10
¥422.62
4226.2
25
¥380.358
9508.95
50
¥338.096
16904.8
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Advanced Semiconductor, Inc.
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
4.25 A
Vds-漏源极击穿电压
65 V
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 200 C
封装
Tray
配置
Single
工作频率
895 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
Advanced Semiconductor, Inc.
Pd-功率耗散
117 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
15 V
Vgs th-栅源极阈值电压
4.8 V
商品其它信息
优势价格，AGR09045EF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
RFFM8205PSR
Qorvo
无线和射频半导体
射频前端 2.4 GHz CPE WiFi FEM
1:¥13.447
100:¥11.9893
200:¥10.4525
500:¥9.2208
1,000:¥8.0682
参考库存:55498
QPA4263CSR
Qorvo
无线和射频半导体
射频放大器 50-4000MHz 3V SiGe Gn 14dB -40C +105C
100:¥12.9837
200:¥10.7576
500:¥9.605
1,000:¥8.6784
参考库存:55503
SI4320-J1-FTR
Silicon Labs
无线和射频半导体
射频接收器 RX SubG
1:¥44.7254
10:¥40.341
25:¥36.0357
50:¥34.4198
2,000:¥22.4418
参考库存:55508
RFSA2033SR
Qorvo
无线和射频半导体
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100:¥21.5152
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HMC-MDB171
Analog Devices / Hittite
无线和射频半导体
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50:¥403.7942
100:¥374.2108
250:¥363.4532
参考库存:55518

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