HMC435AMS8GETR详细信息_HMC435AMS8GETR相关参数PDF_Analog Devices / Hittite-维基芯城

无线和射频半导体

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Analog Devices Inc.
产品种类	RF 开关 IC
RoHS	是
开关数量	Dual
开关配置	SPDT
工作频率	DC to 4 GHz
介入损耗	1.2 dB
关闭隔离—典型值	40 dB
最大工作温度	+ 85 C
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	MSOP-8
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
系列	HMC435A
技术	GaAs
商标	Analog Devices / Hittite
最小工作温度	- 40 C
湿度敏感性	Yes
Pd-功率耗散	0.42 W
产品类型	RF Switch ICs
工厂包装数量	500
子类别	Wireless & RF Integrated Circuits
单位重量	140 mg

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
ADF7021-NBCPZ	Analog Devices	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频收发器 High Performance Narrow-Band IC	1:¥40.341 10:¥35.9566 25:¥32.431 50:¥30.8942	参考库存:8532
MD2134K7-G	Microchip Technology	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频前端 HI-SPEED ULTRASOUND BEAMFORMING DRIVER	1:¥61.698 10:¥60.7827 25:¥51.4037 100:¥46.7142	参考库存:5659
RP23740A10DBFPBK	AVX	无线和射频半导体	PDF数据手册	衰减器 150watts 10dB 1% CHIP DC-3GHZ	1:¥95.2816 10:¥93.6657 20:¥89.2135 50:¥87.5976	参考库存:4836
BGU7008,115	NXP Semiconductors	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频放大器 Low Noise Amplifier	1:¥6.9156 10:¥5.7178 100:¥3.6838 1,000:¥2.9493 5,000:¥2.4973	参考库存:21718
MAX2009ETI+	Maxim Integrated	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频前端 1.2-2.5GHz Adj RF Predistorter	1:¥165.8162 10:¥160.6747 25:¥139.7697 100:¥124.5599	参考库存:4970