BGM1013,115详细信息_BGM1013,115相关参数PDF

无线和射频半导体

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	NXP
产品种类	射频无线杂项
RoHS	是
电源电压-最大	6 V
工作电源电流	35 mA
工作温度范围	- 40 C to + 85 C
封装 / 箱体	SOT-363
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
类型	MMIC Wideband Amplifier
商标	NXP Semiconductors
安装风格	SMD/SMT
最大工作温度	+ 85 C
最小工作温度	- 40 C
产品类型	RF Wireless Misc
工厂包装数量	3000
子类别	Wireless & RF Integrated Circuits
零件号别名	934058247115
单位重量	6 mg

商品其它信息

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型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
PD57018STR-E	STMicroelectronics	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F.	600:¥178.1106	参考库存:44575
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NJG1106KB2-TE1	NJR	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频放大器 800 MHz Low Noise	3,000:¥4.8364	参考库存:44585
APS3625RS34P8	Skyworks Solutions, Inc.	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频放大器 Power Splitter5V, 4dB gain with 5 output	2,500:¥20.2835	参考库存:274506
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