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无线和射频半导体
NPTB00004A参考图片

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NPTB00004A

  • MACOM
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-6.0GHz 5W Gain 16dB GaN HEMT
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数量单价合计
1
¥118.0285
118.0285
10
¥107.1127
1071.127
25
¥99.2818
2482.045
50
¥93.5866
4679.33
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
MACOM
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
是
晶体管类型
HEMT
技术
GaN Si
增益
16 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
1.4 A
最大工作温度
+ 200 C
Pd-功率耗散
11.6 W
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOIC-8
封装
Tray
工作频率
6 GHz
商标
MACOM
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF JFET Transistors
Rds On-漏源导通电阻
1.6 Ohms
工厂包装数量
1
子类别
Transistors
Vgs th-栅源极阈值电压
- 1.6 V
单位重量
220 mg
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
LMX2470SLEX
Texas Instruments
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WA04P006XCTL
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100:¥7.4015
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1,000:¥4.8364
2,500:¥4.6104
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MAAP-011139-DIE
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25:¥527.5857
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AS3956-ATDM-I4
ams
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1:¥17.7523
10:¥14.2945
100:¥12.9046
250:¥11.4469
500:¥10.0683
参考库存:5484

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