HMC453ST89ETR详细信息_HMC453ST89ETR相关参数PDF_Analog Devices / Hittite-维基芯城

无线和射频半导体

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Analog Devices Inc.
产品种类	射频放大器
RoHS	是
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	SOT-89-4
类型	Power Amplifier
技术	GaAs InGaP
工作频率	0.4 GHz to 2.2 GHz
P1dB - 压缩点	32.5 dBm
增益	7.5 dB
工作电源电压	5 V
NF—噪声系数	6.5 dB
OIP3 - 三阶截点	49 dBm
工作电源电流	725 mA
最小工作温度	- 40 C
最大工作温度	+ 85 C
系列	HMC453
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
产品	InGaP/GaAs HBT
商标	Analog Devices / Hittite
通道数量	1 Channel
输入返回损失	13 dB
Pd-功率耗散	3.8 W
产品类型	RF Amplifier
工厂包装数量	500
子类别	Wireless & RF Integrated Circuits

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
SKY66403-11	Skyworks Solutions, Inc.	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频前端 2.4GHz Zigbee/Thread /Bluetooth FEM	1:¥23.8204 10:¥21.4361 25:¥19.21 100:¥17.289 6,500:¥9.5259	参考库存:21202
CE3512K2	CEL	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 12GHz NF .3dB Ga 13.7dB -55C +125C	1:¥11.6051 10:¥8.8366 100:¥6.4523 500:¥5.4918	参考库存:6004
BGSA11GN10E6327XTSA1	ON Semiconductor	无线和射频半导体	PDF数据手册	RF 开关 IC CMOS SWITCH	1:¥4.3053 10:¥3.5708 100:¥2.3052 1,000:¥1.8419 7,500:¥1.5029	参考库存:43901
F0424NTGK	IDT	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频放大器	1:¥50.3302 10:¥45.2565 25:¥41.2676 50:¥38.194	参考库存:4543
BGS8H2X	NXP Semiconductors	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频放大器 BGS8H2/XSON6///REEL 7 Q1 NDP	1:¥5.0737 10:¥4.1697 100:¥2.6894 1,000:¥2.147 5,000:¥1.8193	参考库存:24210