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无线和射频半导体
AD831APZ参考图片

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AD831APZ

  • Analog Devices
  • 新批次
  • 射频混合器 Hi-Perf Low Distort 500 MHz
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库存:5,835(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥115.034
115.034
10
¥104.4233
1044.233
25
¥98.1292
2453.23
50
¥94.5132
4725.66
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Analog Devices Inc.
产品种类
射频混合器
RoHS
射频
400 MHz
NF—噪声系数
10.3 dB
LO频率
400 MHz
中频
200 MHz
最大工作温度
+ 85 C
最小工作温度
- 40 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PLCC-20
封装
Tube
系列
AD831
商标
Analog Devices
开发套件
EVAL-AD831EBZ
最大工作频率
400 MHz
OIP3 - 三阶截点
24 dBm
工作电源电流
100 mA
工作电源电压
4.5 V to 5.5 V
P1dB - 压缩点
10 dBm
Pd-功率耗散
1200 mW
产品类型
RF Mixer
工厂包装数量
49
子类别
Wireless & RF Integrated Circuits
单位重量
722 mg
商品其它信息
优势价格,AD831APZ的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
衰减器 GaAs MMIC 12-mil Thru Line DC-65 GHz
2:¥301.371
6:¥292.8395
10:¥281.1553
26:¥260.9509
参考库存:4907
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-CH 12 V 30 mA
1:¥3.3787
10:¥2.6329
100:¥1.4238
1,000:¥1.06785
3,000:¥0.92208
9,000:¥0.86106
参考库存:46544
无线和射频半导体
射频检测器 NRND no replacement
1:¥12.4526
10:¥10.5994
100:¥8.1473
250:¥8.1473
500:¥7.1642
参考库存:5961
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Transistor
1:¥1,061.3864
10:¥973.947
25:¥874.055
50:¥774.163
参考库存:4973
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)
1:¥891.344
2:¥863.6816
5:¥863.3765
10:¥835.5559
参考库存:4885
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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