BGA7H1N6E6327XTSA1详细信息_BGA7H1N6E6327XTSA1相关参数PDF

无线和射频半导体

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Infineon
产品种类	射频放大器
RoHS	是
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	TSNP-6
类型	LNA for LTE
技术	SiGe
工作频率	2300 MHz to 2690 MHz
P1dB - 压缩点	- 1 dBm
增益	12.5 dB
工作电源电压	3.3 V
NF—噪声系数	0.6 dB
OIP3 - 三阶截点	6 dBm
工作电源电流	4.7 mA
最小工作温度	- 40 C
最大工作温度	+ 85 C
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
商标	Infineon Technologies
输入返回损失	11 dB
隔离分贝	21 dB
Pd-功率耗散	60 mW
产品类型	RF Amplifier
工厂包装数量	15000
子类别	Wireless & RF Integrated Circuits
零件号别名	7H1N6 BGA E6327 SP001109130
单位重量	1 mg

商品其它信息

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型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
CYW4339XKUBGT	Cypress Semiconductor	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频微控制器 - MCU WICED WiFi/Bluetooth Combos	5,000:¥48.4883	参考库存:49628
LT5570IDD#PBF	Analog Devices	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频检测器 Fast Responding, 40MHz to 2.7GHz Mean-Squared Power Detector	121:¥58.6244 363:¥55.709 605:¥54.4773 1,089:¥52.4094	参考库存:49633
EZR32LG230F256R55G-B0	Silicon Labs	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频微控制器 - MCU 256 kB M3, +13 dBm EZRadio, QFN64 wireless MCU	260:¥33.2672 520:¥31.3462 1,040:¥30.8942	参考库存:49638
EFR32FG1V032F256GM32-C0	Silicon Labs	无线和射频半导体	PDF数据手册	RF片上系统 - SoC Flex Value QFN32 2.4G 8dB Prop 256kB 32kB(RAM) 16GPIO	490:¥29.1201 980:¥29.041	参考库存:49643
EFR32FG12P232F1024GL125-C	Silicon Labs	无线和射频半导体	PDF数据手册	RF片上系统 - SoC Flex Gecko SoC BGA125 2.4 G 19 dB proprietary 1024 kB 128 kB (RAM) 65GPIO SoC	260:¥60.4776	参考库存:49648