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无线和射频半导体
3SK291(TE85L,F)参考图片

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3SK291(TE85L,F)

  • Toshiba
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch High Freq 30mA 0.15W 12.5V
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数量单价合计
1
¥4.0002
4.0002
10
¥2.6555
26.555
100
¥1.4803
148.03
1,000
¥1.08367
1083.67
3,000
¥0.92999
2789.97
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
30 mA
Vds-漏源极击穿电压
12.5 V
增益
22.5 dB
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-24-4
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
配置
Dual
工作频率
800 MHz
系列
3SK291
类型
RF Small Signal MOSFET
商标
Toshiba
Pd-功率耗散
150 mW
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
单位重量
13 mg
商品其它信息
优势价格，3SK291(TE85L,F)的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
SKY85601-11
Skyworks Solutions, Inc.
无线和射频半导体
RF 开关 IC 4.9-5.9GHz SPDT NF 2.5dB Gain 12dB
1:¥10.1474
10:¥9.0626
25:¥8.2264
100:¥7.345
3,000:¥4.6443
参考库存:12952
CC2544RHBR
Texas Instruments
无线和射频半导体
RF片上系统 - SoC 2.4GHz RF Value Line SoC
1:¥32.1937
10:¥28.9732
100:¥23.6622
250:¥22.2045
3,000:¥16.1364
参考库存:17904
F1192NLGI
IDT
无线和射频半导体
射频混合器 Dual RF Down Converting Mixer
1:¥88.4451
5:¥84.4449
10:¥80.3769
25:¥74.3766
参考库存:3481
ADL5511ACPZ-R7
Analog Devices
无线和射频半导体
射频检测器 IFR Crest Factor Detector
1:¥118.2545
10:¥107.35
25:¥100.8186
50:¥97.1235
1,500:¥68.9978
参考库存:16108
AT0603C07ECAC7
American Technical Ceramics (ATC)
无线和射频半导体
衰减器 7db 1W 0603 DC to 20GHz
1:¥84.6822
10:¥77.5293
20:¥70.5346
50:¥66.8508
参考库存:3435

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    50万现货SKU

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