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无线和射频半导体
3SK291(TE85L,F)参考图片

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3SK291(TE85L,F)

  • Toshiba
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch High Freq 30mA 0.15W 12.5V
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数量单价合计
1
¥4.0002
4.0002
10
¥2.6555
26.555
100
¥1.4803
148.03
1,000
¥1.08367
1083.67
3,000
¥0.92999
2789.97
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
30 mA
Vds-漏源极击穿电压
12.5 V
增益
22.5 dB
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-24-4
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
配置
Dual
工作频率
800 MHz
系列
3SK291
类型
RF Small Signal MOSFET
商标
Toshiba
Pd-功率耗散
150 mW
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
单位重量
13 mg
商品其它信息
优势价格，3SK291(TE85L,F)的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
CC1200RHBR
Texas Instruments
无线和射频半导体
射频收发器 Low Pwr,High Perf RF Xcvr
1:¥37.5725
10:¥33.8096
100:¥27.6624
250:¥25.9674
3,000:¥18.8258
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SST12LP17E-XX8E
Microchip Technology
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射频放大器 WLAN 11b/g/n Fully-integrated PA
1:¥8.2264
10:¥6.8365
25:¥5.6839
100:¥4.9946
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CA35
MACOM
无线和射频半导体
射频放大器 10-2000MHz NF 5dB Pout 9dBm SMA Conn.
1:¥3,328.7088
10:¥3,209.8328
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MA4P7447CA-287T
MACOM
无线和射频半导体
PIN 二极管 Ls=1.4nH Cp=.12pF Cmn Anode SOT-23
1:¥11.30
10:¥9.0626
100:¥6.9608
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3,000:¥4.1923
参考库存:27862
JDP2S02AFS(TPL3)
Toshiba
无线和射频半导体
PIN 二极管 Radio-Freq SGL 30V 0.3pF 1 Ohm
1:¥4.2262
10:¥2.3278
100:¥0.99892
1,000:¥0.7684
10,000:¥0.52206
参考库存:52275

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