HMC830LP6GE详细信息_HMC830LP6GE相关参数PDF_Analog Devices / Hittite-维基芯城

无线和射频半导体

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Analog Devices Inc.
产品种类	锁相环 - PLL
RoHS	是
类型	PLL
电路数量	1
最大输入频率	350 MHz
输出频率范围	25 MHz to 3000 MHz
电源电压-最大	5.2 V
电源电压-最小	3 V
最小工作温度	- 40 C
最大工作温度	+ 85 C
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	QFN-40
封装	Cut Tape
系列	HMC830
商标	Analog Devices / Hittite
工作电源电压	3.3 V, 5 V
产品类型	PLLs - Phase Locked Loops
工厂包装数量	50
子类别	Wireless & RF Integrated Circuits
单位重量	340 mg

商品其它信息

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型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
NJG1110PB1-TE1	NJR	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频放大器 Dual Low Noise Amp PDC Dual LNA	4,000:¥8.9948	参考库存:47150
GC4723-186-3	Microchip / Microsemi	无线和射频半导体	PDF数据手册	PIN 二极管	20:¥321.4963 25:¥297.2917 50:¥287.9918 100:¥278.7032	参考库存:47155
PCF7900VHN/C0L/UZ	NXP Semiconductors	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频发射器 PCF7900VHN/HVQFN16//C0L/U/REEL 13 Q1 NDP SSB	6,000:¥6.1585 12,000:¥5.9212	参考库存:47160
GC4270-150A	Microchip / Microsemi	无线和射频半导体	PDF数据手册	PIN 二极管	60:¥134.0067 100:¥127.5544 250:¥117.0228 500:¥111.418	参考库存:47165
AFIC31025NR1	NXP Semiconductors	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AFIC31025N/FM17F///REEL 13 Q2 DP	500:¥271.8554	参考库存:47170