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无线和射频半导体
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SD57030-01

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch 65 Volt 4 Amp
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数量单价合计
1
¥437.4456
437.4456
5
¥427.6146
2138.073
10
¥410.9358
4109.358
25
¥397.647
9941.175
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
4 A
Vds-漏源极击穿电压
65 V
增益
13 dB
输出功率
30 W
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
M250
封装
Bulk
配置
Single
高度
3.94 mm
长度
9.91 mm
工作频率
1 GHz
系列
SD57030-01
类型
RF Power MOSFET
宽度
6.09 mm
商标
STMicroelectronics
正向跨导 - 最小值
1.8 S
通道模式
Enhancement
Pd-功率耗散
74 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
商品其它信息
优势价格，SD57030-01的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
HMC451LP3E
Analog Devices / Hittite
无线和射频半导体
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1:¥222.1467
5:¥209.9992
10:¥204.9368
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CXE1089Z
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1:¥37.8098
25:¥32.1937
100:¥27.4364
250:¥21.7412
1,000:¥14.2154
参考库存:8446
RFPA5218TR13
Qorvo
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1:¥17.6732
250:¥16.1364
500:¥14.1363
1,000:¥11.752
5,000:¥7.6049
参考库存:27253
HMC425ALP3E
Analog Devices / Hittite
无线和射频半导体
衰减器 衰减器
1:¥205.2419
5:¥194.021
10:¥189.3315
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ESP32-D0WD
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无线和射频半导体
RF片上系统 - SoC SMD IC ESP32-D0WD, Dual Core MCU, WiFi & Bluetooth
1:¥23.052
参考库存:16502

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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