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无线和射频半导体
BFU660F,115参考图片

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BFU660F,115

  • NXP Semiconductors
  • 新批次
  • 射频(RF)双极晶体管 Single NPN 21GHz
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数量单价合计
1
¥4.3053
4.3053
10
¥3.5256
35.256
100
¥2.147
214.7
1,000
¥1.6724
1672.4
3,000
¥1.4238
4271.4
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
晶体管类型
Bipolar
技术
Si
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
90
集电极—发射极最大电压 VCEO
5.5 V
发射极 - 基极电压 VEBO
2.5 V
集电极连续电流
30 mA
最大工作温度
+ 150 C
配置
Single
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-343F
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
类型
RF Bipolar Small Signal
商标
NXP Semiconductors
增益带宽产品fT
21 GHz
Pd-功率耗散
225 mW
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
零件号别名
934064611115
单位重量
6.665 mg
商品其它信息
优势价格,BFU660F,115的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
PIN 二极管 50MHz - 12 GHz PIN Diode 1.5 us
1:¥42.1038
10:¥33.8887
100:¥30.8151
250:¥27.8206
1,000:¥21.0519
参考库存:17241
无线和射频半导体
射频放大器 A2I20D040GN/FM17F///REEL 13 Q2 DP
1:¥414.2467
5:¥391.884
10:¥386.2792
25:¥358.3004
500:¥283.6978
参考库存:28260
无线和射频半导体
射频放大器 Low Noise Amplifier SMT,5-10 GHz
1:¥274.3979
5:¥259.335
10:¥253.0296
25:¥227.4464
参考库存:5713
无线和射频半导体
射频前端 2.4-2.5GHz FEM WiFi Zigbee
1:¥40.341
100:¥35.7306
200:¥29.9676
500:¥25.3572
1,000:¥18.4416
2,500:¥13.8312
参考库存:3875
无线和射频半导体
锁相环 - PLL Advncd PREMIS Spread Spctrum Clk Synthszr
1:¥75.3032
10:¥68.9978
25:¥62.7037
50:¥59.777
参考库存:2977
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    50万现货SKU

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