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无线和射频半导体
HFA3127RZ参考图片

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HFA3127RZ

  • Renesas / Intersil
  • 新批次
  • 射频(RF)双极晶体管 W/ANNEAL TXARRAY 5X NPN 16LD 3X3
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数量单价合计
1
¥73.9924
73.9924
10
¥66.8508
668.508
50
¥63.7772
3188.86
100
¥55.3248
5532.48
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Renesas Electronics
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
系列
HFA3127
晶体管类型
Bipolar
技术
Si
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
40
集电极—发射极最大电压 VCEO
8 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5.5 V
集电极连续电流
0.065 A
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 125 C
配置
Quint
封装 / 箱体
QFN EP
封装
Tube
集电极—基极电压 VCBO
12 V
直流电流增益 hFE 最大值
40 at 10 mA at 2 V
高度
0.95 mm (Max)
长度
3 mm
工作频率
8000 MHz (Typ)
类型
RF Bipolar Small Signal
宽度
3 mm
商标
Renesas / Intersil
增益带宽产品fT
8000 MHz (Typ)
最大直流电集电极电流
0.065 A
湿度敏感性
Yes
Pd-功率耗散
150 mW
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
100
子类别
Transistors
单位重量
24 mg
商品其它信息
优势价格,HFA3127RZ的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)
1:¥1,461.0335
2:¥1,425.8453
5:¥1,405.0194
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无线和射频半导体
锁相环 - PLL Fractional-N Freq Synthesizer
1:¥45.1774
10:¥40.341
25:¥36.273
50:¥34.578
1,500:¥26.894
参考库存:8756
无线和射频半导体
射频放大器 MMIC
1:¥6.3732
10:¥5.2432
100:¥3.3787
1,000:¥2.7007
5,000:¥2.2939
参考库存:30333
无线和射频半导体
射频收发器 Sub-1GHz IEEE 802.15.4 Transceiver,48QFN
1:¥30.3518
10:¥29.8885
25:¥27.6624
4,000:¥25.8996
参考库存:30727
无线和射频半导体
射频放大器 Medium pow amp SMT, 17 - 24 GHz
1:¥481.1766
5:¥466.577
10:¥451.9774
25:¥437.4456
参考库存:5570
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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