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无线和射频半导体

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Analog Devices Inc.
产品种类	射频放大器
RoHS	是
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	QFN-EP-32
类型	Modulator Driver
技术	GaAs
工作频率	DC to 20 GHz
P1dB - 压缩点	16.5 dBm
增益	16 dB
工作电源电压	8 V
NF—噪声系数	-
工作电源电流	75 mA
最小工作温度	- 40 C
最大工作温度	+ 85 C
系列	HMC871
封装	Cut Tape
商标	Analog Devices / Hittite
通道数量	1 Channel
输入返回损失	20 dB
湿度敏感性	Yes
Pd-功率耗散	1.35 W
产品类型	RF Amplifier
工厂包装数量	50
子类别	Wireless & RF Integrated Circuits

商品其它信息

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型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
XF1001-SC-EV1	MACOM	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 MIMIX 1W Packaged HFET Eval Module	1:¥4,322.25	参考库存:1219
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RFFM4503TR7	Qorvo	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频前端 4.9-5.85GHz FEM WiFi 802.11a/n/ac	1:¥25.3572 250:¥23.278 500:¥20.2835 1,000:¥16.9048 2,500:¥13.5261	参考库存:13718
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