F1953NCGI详细信息_F1953NCGI相关参数PDF

无线和射频半导体

图片仅供参考，请参阅产品规格

购买、咨询产品请填写询价信息

询价型号*	数量*	批号	封装	品牌	其它要求

请确认联系方式，3分钟内即可给您回复

微信： QQ：

库存：4,328(价格仅供参考)

询价数量：

加入询价单立即询价

相关型号

数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	IDT (Integrated Device Technology)
产品种类	衰减器
RoHS	是
封装 / 箱体	QFN-20
最大衰减	32.4 dB
最大频率	4 GHz
位数	6 bit
通道数量	1 Channel
阻抗	50 Ohms
最大 VSWR	-
最小工作温度	- 40 C
最大工作温度	+ 100 C
高度	0.75 mm
长度	4 mm
封装	Tray
系列	F1953
技术	Silicon
类型	Digital Step Attenuator
宽度	4 mm
商标	IDT
介入损耗	1.4 dB
安装风格	SMD/SMT
最小频率	0.4 GHz
工作电源电压	2.7 V to 3.3 V
产品类型	Attenuators
工厂包装数量	490
子类别	Wireless & RF Integrated Circuits
商标名	Glitch-Free
零件号别名	IDTF1953

商品其它信息

优势价格，F1953NCGI的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。

推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
ADL5721ACPZN-R7	Analog Devices	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频放大器 Microwave HIR	3,000:¥115.7233	参考库存:48528
TGF2933	Qorvo	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-25GHz 7Watt NF 1.3dB GaN	50:¥273.2453 100:¥241.5036 250:¥226.1356	参考库存:48533
PTFB183404F-V2-R0	Wolfspeed / Cree	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET	1:¥1,281.0019 50:¥1,281.0019	参考库存:48538
HMC611LP4ETR	Analog Devices	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频检测器 Log Det Controller , 0.001 - 10.0 GHz	500:¥122.718	参考库存:48543
CC430F5133IRGZT	Texas Instruments	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频微控制器 - MCU 16B Ultra-Low-Pwr MCU,8KB Fl,2KB RAM	250:¥36.1939 500:¥33.1994 1,000:¥28.8941 2,500:¥27.8206	参考库存:48548