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无线和射频半导体
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DRF1200

  • Microchip / Microsemi
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)
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数量单价合计
1
¥1,118.9486
1118.9486
2
¥1,092.0546
2184.1092
5
¥1,076.0651
5380.3255
10
¥1,060.8553
10608.553
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
技术
Si
Rds On-漏源导通电阻
900 mOhms
封装
Box
配置
Inverting, Non-Inverting
高度
0.3 mm
长度
1.5 mm
类型
RF Power MOSFET
宽度
1 mm
商标
Microchip / Microsemi
下降时间
2.5 ns
Pd-功率耗散
624 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
上升时间
2.5 ns
工厂包装数量
1
子类别
MOSFETs
商品其它信息
优势价格，DRF1200的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
DMJ2209-000
Skyworks Solutions, Inc.
无线和射频半导体
PIN 二极管 Band X Common Cathode
100:¥82.5239
300:¥76.1507
500:¥73.3822
参考库存:46740
PTFB193404F-V1-R250
Wolfspeed / Cree
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
250:¥1,281.0019
参考库存:46745
F1967NBGI
IDT
无线和射频半导体
衰减器 F1967 RF Switch
490:¥69.156
980:¥62.8506
1,470:¥56.5565
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EZR32LG230F256R61G-B0R
Silicon Labs
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射频微控制器 - MCU 256 kB M3, +17 dBm PRO, QFN64 wireless MCU
1,000:¥32.657
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RFCA3310SR
Qorvo
无线和射频半导体
射频放大器 50-1000MHz 75 Ohm High Gain 21dB
100:¥17.8314
参考库存:46760

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