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无线和射频半导体
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MMBFJ309

  • ON Semiconductor / Fairchild
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 NCh RF Transistor
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134.47
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1006.83
3,000
¥0.86784
2603.52
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
是
晶体管类型
JFET
技术
Si
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
25 V
Vgs-栅源极击穿电压
- 25 V
Id-连续漏极电流
30 mA
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
350 mW
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
配置
Single
工作温度范围
- 55 C to + 150 C
产品
RF JFET
系列
MMBFJ309
类型
JFET
商标
ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值
0.01 S to 0.02 S
闸/源截止电压
- 4 V
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
零件号别名
MMBFJ309_NL
单位重量
8 mg
商品其它信息
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