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无线和射频半导体
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BFP 640FESD H6327

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100
¥2.1583
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3,000
¥1.4238
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
是
系列
BFP640
晶体管类型
Bipolar
技术
SiGe
发射极 - 基极电压 VEBO
4.8 V
集电极连续电流
50 mA
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TSFP-4-1
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
类型
RF Silicon Germanium
商标
Infineon Technologies
Pd-功率耗散
200 mW
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
零件号别名
BFP640FESDH6327XTSA1 BFP64FESDH6327XT SP000890034
单位重量
8 mg
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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参考库存:52021

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