PAT1220-C-4DB-T5详细信息_PAT1220-C-4DB-T5相关参数PDF

无线和射频半导体

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Susumu
产品种类	衰减器
RoHS	是
封装 / 箱体	0805
最大衰减	4 dB
最大频率	10 GHz
位数	-
通道数量	-
阻抗	50 Ohms
最大 VSWR	1.3
最小工作温度	- 55 C
最大工作温度	+ 125 C
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
功率额定值	100 mW
容差	0.3 dB
类型	High Precision chip Attenuators
商标	Susumu
安装风格	SMD/SMT
最小频率	DC
产品类型	Attenuators
工厂包装数量	5000
子类别	Wireless & RF Integrated Circuits

商品其它信息

优势价格，PAT1220-C-4DB-T5的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。

推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
GC4410-00	Microchip / Microsemi	无线和射频半导体	PDF数据手册	PIN 二极管	100:¥42.9513 250:¥39.4935 500:¥36.0357 1,000:¥31.3462	参考库存:43921
EM346-RTR	Silicon Labs	无线和射频半导体	PDF数据手册	RF片上系统 - SoC RF4CE Target, SoC, 192kB flash, 12kB RAM	2,000:¥26.8149	参考库存:43926
D5013UK	Semelab / TT Electronics	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 20W-50V-500MHz SE	50:¥392.7315 100:¥386.5052	参考库存:43931
A2T21S161W12SR3	NXP Semiconductors	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T21S161W12S/CFM4F///REEL 13 Q2 NDP	250:¥438.7564	参考库存:43936
D1003UK	Semelab / TT Electronics	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 60W-28V-175HMz SE	50:¥479.5607 100:¥466.3397	参考库存:43941