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无线和射频半导体
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QPD1010

  • Qorvo
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-4GHz 10W 28-50V SSG 25dB PAE 70% GaN
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数量单价合计
1
¥157.9062
157.9062
25
¥136.5492
3413.73
100
¥118.1076
11810.76
250
¥109.8812
27470.3
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Qorvo
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
是
晶体管类型
HEMT
技术
GaN SiC
增益
24.7 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
50 V
Vgs-栅源极击穿电压
145 V
Id-连续漏极电流
400 mA
输出功率
11 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 85 C
Pd-功率耗散
13.5 W
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
QFN-16
封装
Waffle
配置
Single
工作频率
4 GHz
工作温度范围
- 40 C to + 85 C
系列
QPD
商标
Qorvo
开发套件
QPD1010-EVB1
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
Transistors
Vgs th-栅源极阈值电压
- 2.8 V
零件号别名
1132873
单位重量
2.300 g
商品其它信息
优势价格，QPD1010的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
QPC3025TR13
Qorvo
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参考库存:46291
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Silicon Labs
无线和射频半导体
调节器/解调器 DVB-T2/S2X/S2/T/C/S Digital Demodualtor
2,500:¥50.2511
参考库存:46296
AFT09H310-04GSR6
NXP / Freescale
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150:¥1,030.3453
参考库存:46301
RF5511TR7
Qorvo
无线和射频半导体
射频前端 2.4 to 2.5 GHz 0.6 dB IL, 5 dBm
2,500:¥5.3788
参考库存:46306

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    50万现货SKU

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