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无线和射频半导体
BF1105R,215参考图片

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BF1105R,215

  • NXP Semiconductors
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Trans MOSFET N-CH 7V 0.03A 4pin(3+Tab)
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库存:135,137(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥3.3787
3.3787
10
¥2.9945
29.945
25
¥2.7007
67.5175
100
¥2.3617
236.17
3,000
¥1.2882
3864.6
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
Dual N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
30 mA
Vds-漏源极击穿电压
7 V, 7 V
Rds On-漏源导通电阻
-
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-143R-4
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
配置
Single Dual Gate
高度
1 mm
长度
3 mm
类型
RF Small Signal MOSFET
宽度
1.4 mm
商标
NXP Semiconductors
通道模式
Enhancement
Pd-功率耗散
200 mW
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
7 V, 7 V
Vgs th-栅源极阈值电压
0.8 V
零件号别名
934050330215
单位重量
9.100 mg
商品其它信息
优势价格,BF1105R,215的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
射频放大器 2.0-3.0GHz NF .89dB Gain 17.3dB
1:¥30.51
10:¥27.2782
25:¥24.5888
100:¥22.3627
3,000:¥13.8312
参考库存:4327
无线和射频半导体
射频微控制器 - MCU ATmega 1280V-8AU AT86RF212-ZU
1:¥125.7916
10:¥114.3334
25:¥105.8132
50:¥101.2706
参考库存:3534
无线和射频半导体
射频放大器 2-6GHz NF 1 dB P1dB 18 dBm
1:¥868.292
25:¥722.296
100:¥607.036
参考库存:3196
无线和射频半导体
射频放大器 6CH MMIC Amp 3.7 dB 3.3V 10.5mA 3.2GHz
1:¥2.4634
10:¥1.9888
100:¥0.96841
1,000:¥0.7458
3,000:¥0.54579
参考库存:27403
无线和射频半导体
锁相环 - PLL Intg Integer-N VCO Out Freq 2050-2450
1:¥53.0987
10:¥47.799
25:¥44.9514
50:¥42.262
参考库存:4425
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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