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无线和射频半导体
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MRF1K50GNR5

  • NXP / Freescale
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MRF1K50GN/FM4///REEL 13
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1
¥1,334.9368
1334.9368
5
¥1,306.7433
6533.7165
10
¥1,278.5385
12785.385
25
¥1,246.2657
31156.6425
50
¥1,213.9138
60695.69
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
36 A
Vds-漏源极击穿电压
133 V
增益
23 dB
输出功率
1.5 kW
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
OM-1230G-4L
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
工作频率
1.8 MHz to 500 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP / Freescale
正向跨导 - 最小值
33.5 S
通道数量
2 Channel
湿度敏感性
Yes
Pd-功率耗散
2.941 kW
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 6 V, 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1.7 V
零件号别名
935316371578
单位重量
5.282 g
商品其它信息
优势价格，MRF1K50GNR5的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
ADL5721ACPZN-R7
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