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无线和射频半导体
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CGHV27030S

  • Wolfspeed / Cree
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-6.0GHz, 30 Watt
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1
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354.4584
250
¥354.4584
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
是
晶体管类型
HEMT
技术
GaN
增益
21 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
150 V
Vgs-栅源极击穿电压
- 10 V, 2 V
Id-连续漏极电流
3.6 A
输出功率
30 W
最大漏极/栅极电压
50 V
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
12 W
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DFN-12
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
应用
Telecom
配置
Single
工作频率
2.7 GHz
工作温度范围
- 40 C to + 150 C
商标
Wolfspeed / Cree
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
250
子类别
Transistors
Vgs th-栅源极阈值电压
- 3 V
商品其它信息
优势价格，CGHV27030S的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
ART915X2117225TX21-IC
ABRACON
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1:¥53.4038
10:¥42.8044
100:¥38.0358
250:¥35.1882
500:¥28.5099
参考库存:50385
BFU550XRVL
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1:¥2.9945
10:¥2.0792
100:¥0.95259
1,000:¥0.72998
10,000:¥0.56839
参考库存:50390
CC2550RSTR
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1:¥27.0522
10:¥24.3628
100:¥19.8993
250:¥18.6676
2,500:¥13.6052
参考库存:50395
SL2S5102FUD,003
NXP Semiconductors
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1:¥3.616
10:¥2.712
100:¥1.469
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SMA75
MACOM
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1:¥878.4394
参考库存:50405

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