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无线和射频半导体
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CGHV27030S

  • Wolfspeed / Cree
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-6.0GHz, 30 Watt
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数量单价合计
1
¥354.4584
354.4584
250
¥354.4584
88614.6
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
晶体管类型
HEMT
技术
GaN
增益
21 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
150 V
Vgs-栅源极击穿电压
- 10 V, 2 V
Id-连续漏极电流
3.6 A
输出功率
30 W
最大漏极/栅极电压
50 V
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
12 W
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DFN-12
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
应用
Telecom
配置
Single
工作频率
2.7 GHz
工作温度范围
- 40 C to + 150 C
商标
Wolfspeed / Cree
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
250
子类别
Transistors
Vgs th-栅源极阈值电压
- 3 V
商品其它信息
优势价格,CGHV27030S的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
上下转换器 17.7-19.7GHz IQ LNC
24:¥258.3406
25:¥239.7408
100:¥224.2937
250:¥216.6097
参考库存:54133
无线和射频半导体
射频收发器 Highly Integr Multi Ch 射频收发器
1:¥47.6408
10:¥42.8722
100:¥35.0413
250:¥32.883
3,000:¥23.8995
参考库存:54138
无线和射频半导体
衰减器 4db 1W 0603 DC to 20GHz
1:¥209.8523
10:¥192.2582
25:¥174.811
50:¥165.8162
参考库存:54143
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MRFE6VP6600N/FM4F///REEL 13 Q2 DP
250:¥642.3033
参考库存:54148
无线和射频半导体
射频前端 14-Bit, 3-GSPS RF-Sampling
250:¥5,320.7858
参考库存:54153
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    50万现货SKU

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