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无线和射频半导体
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QPD1004SR

  • Qorvo
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 .03-1.2GHz 25W 50V GaN
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数量单价合计
1
¥615.4884
615.4884
25
¥543.869
13596.725
100
¥480.5551
48055.51
200
¥451.7401
90348.02
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Qorvo
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
是
晶体管类型
HEMT
技术
GaN SiC
增益
20.8 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
50 V
Vgs-栅源极击穿电压
145 V
Id-连续漏极电流
3.6 A
输出功率
40 W
最大漏极/栅极电压
55 V
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 85 C
Pd-功率耗散
27.6 W
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DFN-8
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
工作频率
30 MHz to 1200 MHz
系列
QPD1004
商标
Qorvo
正向跨导 - 最小值
-
开发套件
QPD1004EVB1
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
100
子类别
Transistors
零件号别名
QPD1004
商品其它信息
优势价格，QPD1004SR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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