BGA7L1BN6E6327XTSA1详细信息_BGA7L1BN6E6327XTSA1相关参数PDF

无线和射频半导体

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Infineon
产品种类	射频放大器
RoHS	是
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	TSNP-6-2
类型	Low Noise
技术	Silicon
工作频率	716 MHz to 960 MHz
P1dB - 压缩点	- 1 dBm
增益	13.6 dB
工作电源电压	1.5 V to 3.6 V
NF—噪声系数	0.75 dB
测试频率	840 MHz
OIP3 - 三阶截点	5 dBm
工作电源电流	4.9 mA
最小工作温度	- 40 C
最大工作温度	+ 85 C
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
商标	Infineon Technologies
通道数量	1 Channel
输入返回损失	12 dB
隔离分贝	21 dB
Pd-功率耗散	250 mW
产品类型	RF Amplifier
工厂包装数量	15000
子类别	Wireless & RF Integrated Circuits
零件号别名	7L1BN6 BGA E6327 SP001402782

商品其它信息

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型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
EZR32HG320F64R69G-B0R	Silicon Labs	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频微控制器 - MCU 64 kB M0+, USB, +13/+20 dBm EZRadioPRO, QFN48 wireless MCU	2,000:¥28.2048	参考库存:49353
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