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无线和射频半导体
MRF101BN参考图片

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MRF101BN

  • NXP Semiconductors
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MRF101BN/SIL3///TUBE NDP SMALL
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库存:4,390(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥168.0536
168.0536
5
¥165.432
827.16
10
¥154.9908
1549.908
25
¥139.3064
3482.66
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
8.8 A
Vds-漏源极击穿电压
133 V
增益
21.1 dB
输出功率
100 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
封装
Tube
工作频率
1.8 MHz to 250 MHz
系列
MRF101
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP Semiconductors
正向跨导 - 最小值
7.1 S
通道数量
1 Channel
Pd-功率耗散
182 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 6 V, + 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1.7 V
零件号别名
935377234129
商品其它信息
优势价格,MRF101BN的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MRF24300N/FM2F///REEL 13 Q2 DP
1:¥1,333.9424
5:¥1,304.133
10:¥1,277.465
25:¥1,258.6392
250:¥1,185.6412
参考库存:3899
无线和射频半导体
衰减器 0.5 dB LSB 5-Bit dig atten 0.1-30 GHz
1:¥930.4533
5:¥913.5485
10:¥886.5076
25:¥855.071
参考库存:4031
无线和射频半导体
射频放大器 .4-1.5GHz GaAs Gain 20.8dB
1:¥26.1256
10:¥24.8148
100:¥22.8938
250:¥20.2835
2,500:¥8.7575
参考库存:26753
无线和射频半导体
射频前端 5100-5850MHz 3.0V to 4.8V
1:¥53.562
100:¥47.4148
250:¥39.7986
500:¥33.6514
2,500:¥18.3625
参考库存:16340
无线和射频半导体
相位探测器 / 移相器 5.2-5.9 GHz, 6-bit digital phase shifter
1:¥761.6426
5:¥737.1216
10:¥722.3751
25:¥692.9386
参考库存:4057
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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