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无线和射频半导体
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NSVF4017SG4T1G

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • 射频(RF)双极晶体管 BIP NPN 100MA 12V FT=10G
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1
¥4.3844
4.3844
10
¥3.616
36.16
100
¥2.2035
220.35
1,000
¥1.7063
1706.3
3,000
¥1.4577
4373.1
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
是
晶体管类型
Bipolar
技术
Si
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
60
集电极—发射极最大电压 VCEO
12 V
发射极 - 基极电压 VEBO
2 V
集电极连续电流
100 mA
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
配置
Single
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SC-82FL-4
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
工作频率
10 GHz
商标
ON Semiconductor
最大直流电集电极电流
100 mA
Pd-功率耗散
450 mW
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
商品其它信息
优势价格，NSVF4017SG4T1G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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