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无线和射频半导体
MRF151G参考图片

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MRF151G

  • MACOM
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 5-175MHz 300Watts 50Volt Gain 14dB
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数量单价合计
1
¥861.0713
861.0713
10
¥807.2833
8072.833
25
¥788.3784
19709.46
50
¥769.5526
38477.63
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
MACOM
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
40 A
Vds-漏源极击穿电压
125 V
增益
14 dB
输出功率
300 W
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装
Tray
配置
Dual
工作频率
175 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
MACOM
Pd-功率耗散
500 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
10
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
40 V
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
商品其它信息
优势价格，MRF151G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
NRF24AP1
Nordic Semiconductor
无线和射频半导体
射频收发器 1.9-3.6V 2.4GHz XCVR W/EMB ANT PROTOCOL
1:¥58.2402
10:¥53.4038
25:¥48.5674
100:¥43.6406
参考库存:30970
ATMEGA2560R231-CU
Microchip Technology / Atmel
无线和射频半导体
射频微控制器 - MCU ATmega 2560V-8CU AT86RF231-ZU
1:¥151.4539
10:¥137.7018
25:¥127.3962
50:¥121.9496
参考库存:6088
CG2176X3
CEL
无线和射频半导体
RF 开关 IC 50 Ohm Term. SPDT pHEMT GaAs MMIC
1:¥13.673
10:¥10.7576
100:¥8.6106
500:¥6.8817
参考库存:6510
NJG1152KA1-TE1
NJR
无线和射频半导体
射频放大器 Wide Band LN Amp GaAs MMIC 20mA
1:¥3.6838
10:¥3.3335
25:¥2.825
50:¥2.5312
4,000:¥2.2487
参考库存:25637
HMC536MS8GETR
Analog Devices / Hittite
无线和射频半导体
RF 开关 IC 3 Watt SPDT T/R Switch SMT, DC - 6 GHz
1:¥49.8669
10:¥44.8723
100:¥36.725
250:¥34.8831
500:¥31.2784
参考库存:6054

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    50万现货SKU

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