F2270NLGK详细信息_F2270NLGK相关参数PDF

无线和射频半导体

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	IDT (Integrated Device Technology)
产品种类	衰减器
RoHS	是
封装 / 箱体	QFN-16
最大衰减	35 dB
最大频率	3000 MHz
通道数量	1 Channel
阻抗	75 Ohms
最小工作温度	- 40 C
最大工作温度	+ 105 C
封装	Tray
系列	F2270
类型	Voltage Variable Attenuator
商标	IDT
介入损耗	1.1 dB
安装风格	SMD/SMT
最小频率	5 MHz
工作电源电压	3.3 V/5 V
产品类型	Attenuators
工厂包装数量	624
子类别	Wireless & RF Integrated Circuits
商标名	Glitch-Free

商品其它信息

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型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
SI4749-C10-GMR	Silicon Labs	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频接收器 High-performance FM RDS/RBDS data receiver, automotive qualified AEC-Q100	2,500:¥48.4883	参考库存:51389
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AT10-0009	MACOM	无线和射频半导体	PDF数据手册	衰减器 800-1000MHz IL:4.2 VSWR: 2.0 max	50:¥243.1986	参考库存:51399
A2T21H360-23NR6	NXP Semiconductors	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T21H360-23N/FM6F///REEL 13 Q2 DP	150:¥853.15	参考库存:51404
HMC994APM5ETR-R5	Analog Devices / Hittite	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频放大器 0.01-30GHz 0.5W DISTRIBUTD AMPLIFIER	500:¥1,307.975	参考库存:51409