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无线和射频半导体

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Qorvo
产品种类	射频放大器
RoHS	是
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	Micro-X-4
类型	Cascadable Broadband Amplifier
技术	GaAs
工作频率	DC to 12 GHz
P1dB - 压缩点	13.8 dBm
增益	13 dB
工作电源电压	4.65 V
NF—噪声系数	4.9 dB
测试频率	6 GHz
OIP3 - 三阶截点	24 dBm
工作电源电流	50 mA
最小工作温度	- 45 C
最大工作温度	+ 85 C
封装	Cut Tape
封装	Reel
商标	Qorvo
通道数量	1 Channel
Pd-功率耗散	350 mW
产品类型	RF Amplifier
工厂包装数量	100
子类别	Wireless & RF Integrated Circuits
零件号别名	NBB-310
单位重量	500 mg

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
HMC1106	Analog Devices / Hittite	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频混合器 20-50GHz Double Balanced mix	25:¥567.4634 100:¥535.2697	参考库存:52316
MRF8S7170NR3	NXP / Freescale	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV8 700MHz 50W OM780-2	1:¥643.3768 5:¥630.9355 10:¥610.1096 25:¥584.2891 250:¥523.8906	参考库存:52321
HMC752LC4TR	Analog Devices / Hittite	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频放大器 lo Noise amp SMT, 24 - 28 GHz	100:¥250.5775 200:¥241.9669	参考库存:52326
SD2931-11W	STMicroelectronics	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF PWR N-Ch MOS 150W 14dB 175MHz	1:¥544.3323 5:¥534.3431 10:¥520.5119 25:¥510.2967	参考库存:52331
LTC5800IWR-IPRB#PBF	Analog Devices	无线和射频半导体	PDF数据手册	RF片上系统 - SoC SmartMesh IP Manager-on-Chip, Eterna (QFN), 100 mote capacity, unprogrammed	1:¥244.193 25:¥195.3318 100:¥159.1379 250:¥155.601 500:¥149.612	参考库存:52336