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分立半导体
TK80S06K3L(T6L1,NQ参考图片

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TK80S06K3L(T6L1,NQ

  • Toshiba
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch MOS 80A 60V 100W 4200pF 0.0055
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¥6.4862
12972.4
4,000
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24995.6
10,000
¥6.0116
60116
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
80 A
Rds On-漏源导通电阻
5.5 mOhms
Pd-功率耗散
100 W
配置
Single
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
2.3 mm
长度
6.5 mm
系列
TK80S06K3L
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5.5 mm
商标
Toshiba
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
2000
子类别
MOSFETs
单位重量
340 mg
商品其它信息
优势价格，TK80S06K3L(T6L1,NQ的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
STB5N80K5
STMicroelectronics
分立半导体
MOSFET N-channel 800 V, 1.50 Ohm typ., 4 A MDmesh K5 Power MOSFET in a D2PAK package
1:¥12.4526
10:¥10.5994
100:¥8.4524
500:¥7.4015
1,000:¥6.1359
参考库存:11927
Q8008LH4TP
Littelfuse
分立半导体
双向可控硅 800V 8A 35-35-35mA
1:¥18.984
10:¥15.2889
100:¥12.2153
500:¥10.6785
1,000:¥8.8366
参考库存:7464
ES2GHE3_A/H
Vishay Semiconductors
分立半导体
整流器 2A,400V,35ns, SMB F.EFF.SM DIODE
1:¥4.2262
10:¥3.277
100:¥2.4408
500:¥2.0001
参考库存:26026
SIHB12N50E-GE3
Vishay / Siliconix
分立半导体
MOSFET 500V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
1:¥18.3625
10:¥15.2098
100:¥11.8311
500:¥10.2943
参考库存:8558
NSVF5488SKT3G
ON Semiconductor
分立半导体
射频(RF)双极晶体管 BIP NPN 70MA 10V F
1:¥4.068
10:¥3.3335
100:¥2.034
1,000:¥1.5707
8,000:¥1.2543
24,000:查看
参考库存:42505

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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