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分立半导体

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FF1200R12KE3

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数量单价合计
1
¥7,208.7446
7208.7446
5
¥7,093.4846
35467.423
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
配置
Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
1.7 V
在25 C的连续集电极电流
1200 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
5 kW
封装 / 箱体
IHM 130X140-10
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 125 C
封装
Tray
高度
38 mm
长度
140 mm
宽度
130 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
2
子类别
IGBTs
零件号别名
FF1200R12KE3NOSA1 SP000100572
商品其它信息
优势价格,FF1200R12KE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
分立半导体模块 Fast Recovery Epitaxial Diode - D
1:¥245.9671
5:¥234.9044
10:¥227.6046
25:¥209.0839
参考库存:2954
分立半导体
整流器 6.0 Amp 800 Volt 400 Amp IFSM
1:¥5.4579
10:¥4.3731
100:¥3.3222
300:¥2.7459
参考库存:11826
分立半导体
整流器 Fast Recovery Epitaxial Diode - D
1:¥53.788
10:¥48.4092
25:¥44.1039
100:¥39.7986
参考库存:3378
分立半导体
JFET JFET N-Channel -30V 1.8W 10mW 50mA
1:¥91.6656
10:¥75.145
100:¥62.3986
500:¥56.8616
参考库存:3025
分立半导体
稳压二极管 ZENER 0.2W 3.6V
1:¥2.9945
10:¥1.921
100:¥0.86784
1,000:¥0.5537
4,000:¥0.41471
参考库存:21607
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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