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分立半导体
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BSM25GD120DN2

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库存:34,580(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥729.3698
729.3698
5
¥715.9906
3579.953
10
¥683.7178
6837.178
25
¥660.9822
16524.555
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Hex
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
2.5 V
在25 C的连续集电极电流
35 A
栅极—射极漏泄电流
180 nA
Pd-功率耗散
200 W
封装 / 箱体
EconoPACK 2A
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tray
高度
17 mm
长度
107.5 mm
宽度
45 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
10
子类别
IGBTs
零件号别名
BSM25GD120DN2BOSA1 SP000100370
单位重量
180 g
商品其它信息
优势价格,BSM25GD120DN2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
桥式整流器 RECT BRIDGE 50A 50V
1:¥22.7469
10:¥18.3625
100:¥14.6787
500:¥12.8368
参考库存:50802
分立半导体
MOSFET Power FREDFET - MOS7
1:¥125.7916
5:¥120.8648
10:¥116.3335
25:¥106.8867
参考库存:50807
分立半导体
IGBT 模块 Power Module - IGBT
1:¥1,332.3265
5:¥1,299.5226
10:¥1,268.2442
25:¥1,222.1402
参考库存:50812
分立半导体
分立半导体模块 2000volt 320amp
1:¥1,368.5204
5:¥1,335.6374
10:¥1,302.438
25:¥1,284.2224
参考库存:50817
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Avalanche
1:¥82.5239
10:¥75.9134
25:¥72.772
100:¥64.0823
参考库存:50822
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

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    科技智能大仓储

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