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分立半导体
C2M1000170J参考图片

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C2M1000170J

  • Wolfspeed / Cree
  • 新批次
  • MOSFET SIC MOSFET 1700V RDS ON 1 Ohm
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数量单价合计
1
¥42.9513
42.9513
100
¥41.2676
4126.76
500
¥39.2675
19633.75
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
SiC
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-7
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
1.7 kV
Id-连续漏极电流
5.3 A
Rds On-漏源导通电阻
1 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
3.1 V
Qg-栅极电荷
13 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
高度
4.435 mm
长度
10.18 mm
宽度
9.075 mm
商标
Wolfspeed / Cree
下降时间
40.4 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
4.8 ns
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
10.8 ns
典型接通延迟时间
4 ns
单位重量
1.600 g
商品其它信息
优势价格，C2M1000170J的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
MJE5852G
ON Semiconductor
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 8A 400V 80W PNP
1:¥20.905
10:¥17.7523
100:¥14.2154
500:¥12.4526
1,000:¥10.2943
参考库存:7653
MBR5200VPC-E1
Diodes Incorporated
分立半导体
肖特基二极管与整流器 Schottky Rectifier
1:¥3.9211
10:¥2.938
100:¥1.5933
1,000:¥1.1978
参考库存:8200
PD57060-E
STMicroelectronics
分立半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Pwr Transistors LDMOST Plastic Fam
1:¥415.5462
5:¥406.2576
10:¥390.3472
25:¥377.7477
参考库存:11067
MRF171
Advanced Semiconductor, Inc.
分立半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Transistor
1:¥353.464
10:¥306.9758
25:¥288.5342
50:¥267.7874
100:¥253.8771
参考库存:3909
GBPC2510-E4/51
Vishay Semiconductors
分立半导体
桥式整流器 25 Amp 1000 Volt
1:¥36.4199
10:¥32.9621
100:¥27.5042
200:¥26.2047
参考库存:4856

  • 海量现货

    50万现货SKU

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