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分立半导体
SCT3080KLGC11参考图片

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SCT3080KLGC11

  • ROHM Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 1200V SiC 31A 80mOhm TrenchMOS
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数量单价合计
1
¥140.007
140.007
10
¥128.7861
1287.861
25
¥123.4073
3085.1825
100
¥108.7286
10872.86
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ROHM Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
SiC
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247N-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
1200 V
Id-连续漏极电流
31 A
Rds On-漏源导通电阻
80 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.7 V
Vgs - 栅极-源极电压
- 4 V, 22 V
Qg-栅极电荷
60 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
165 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
系列
SCT3x
晶体管类型
1 N-Channel
商标
ROHM Semiconductor
正向跨导 - 最小值
4.4 S
下降时间
24 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
22 ns
工厂包装数量
450
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
29 ns
典型接通延迟时间
15 ns
零件号别名
SCT3080KL
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格,SCT3080KLGC11的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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