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分立半导体
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FCP165N60E

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库存：4,456(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥20.9728
20.9728
10
¥17.8314
178.314
100
¥15.4471
1544.71
250
¥14.5996
3649.9
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
23 A
Rds On-漏源导通电阻
165 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V, 30 V
Qg-栅极电荷
57 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
227 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
SuperFET II
封装
Tube
高度
16.3 mm
长度
10.67 mm
系列
FCP165N60E
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.7 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值
20 S
下降时间
18 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
18 ns
工厂包装数量
800
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
100 ns
典型接通延迟时间
22 ns
单位重量
1.800 g
商品其它信息
优势价格，FCP165N60E的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
SML4750AHE3/61
Vishay Semiconductors
分立半导体
稳压二极管 Zener Diode DO214-HE3
1:¥4.6104
10:¥3.4691
100:¥2.5764
500:¥2.1244
参考库存:28291
SD1143-01
Advanced Semiconductor, Inc.
分立半导体
射频(RF)双极晶体管 RF Transistor
1:¥751.111
10:¥689.2548
25:¥618.562
50:¥547.8692
参考库存:28296
VS-VSKN91/08
Vishay Semiconductors
分立半导体
分立半导体模块 Input Modules - AAP DBC
1:¥342.2431
5:¥333.1014
10:¥320.1968
25:¥296.1391
参考库存:28301
RABF154-13
Diodes Incorporated
分立半导体
桥式整流器 Bridge Rectifier ABF
1:¥3.6838
10:¥2.7911
100:¥1.5142
1,000:¥1.1413
3,000:¥0.97632
5,000:¥0.91417
参考库存:28306
VI30100S-M3/4W
Vishay / Siliconix
分立半导体
整流器 30A,100V,TRENCH SKY RECT.
1:¥13.1419
10:¥10.8367
100:¥8.2942
500:¥7.1077
参考库存:28311

  • 海量现货

    50万现货SKU

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