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分立半导体
DMN3016LPS-13参考图片

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DMN3016LPS-13

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 30V Enh FET 20Vgss 1.18W 1415pF
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数量单价合计
1
¥3.2996
3.2996
10
¥2.7798
27.798
100
¥1.695
169.5
1,000
¥1.3108
1310.8
2,500
¥1.11418
2785.45
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerDI5060-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
10.8 A
Rds On-漏源导通电阻
16 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.4 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
25.1 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1.18 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
PowerDI
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1 mm
长度
5.15 mm
产品
Enhancement Mode MOSFET
系列
DMN3016
晶体管类型
1 N-Channel
类型
Enhancement Mode MOSFET
宽度
6.15 mm
商标
Diodes Incorporated
正向跨导 - 最小值
-
下降时间
5.6 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
16.5 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
26.1 ns
典型接通延迟时间
4.8 ns
单位重量
96 mg
商品其它信息
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推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
SQ2362ES-T1_GE3
Vishay / Siliconix
分立半导体
MOSFET N-Channel 60V AEC-Q101 Qualified
1:¥4.3844
10:¥3.3335
100:¥2.4747
500:¥2.034
1,000:¥1.5707
3,000:¥1.5707
参考库存:96843
MADP-011048-TR3000
MACOM
分立半导体
PIN 二极管 5-400MHz >50W Ct=3pF Non-Magnetic
1:¥108.8077
10:¥89.0553
50:¥79.1452
100:¥71.2352
3,000:¥55.4039
参考库存:11970
V40PW45CHM3/I
Vishay Semiconductors
分立半导体
肖特基二极管与整流器 If(AV) 40A Vrrm 45V TMBS eSMP Trench MOS
1:¥12.1362
10:¥9.9892
100:¥7.6501
500:¥6.5766
1,000:¥5.763
4,500:¥5.763
参考库存:15852
VS-3EJU06-M3/6A
Vishay Semiconductors
分立半导体
整流器 600V 3A FRED Pt Slim SMA
1:¥4.4522
10:¥3.0397
100:¥2.0566
500:¥1.6498
1,000:¥1.2317
3,500:¥1.13
参考库存:3269
V30DM120CHM3/I
Vishay Semiconductors
分立半导体
肖特基二极管与整流器 30A, 120V, SMPD, TRENCH SKY RECT.
1:¥13.3679
10:¥10.9836
100:¥8.4524
500:¥7.2433
1,000:¥5.7178
2,000:¥5.7178
参考库存:21421

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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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