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分立半导体
SCT3120ALGC11参考图片

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SCT3120ALGC11

  • ROHM Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 650V SiC 21A 120mOhm TrenchMOS
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库存：15,691(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥55.709
55.709
10
¥50.3302
503.302
25
¥48.025
1200.625
100
¥41.6518
4165.18
250
¥39.7986
9949.65
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ROHM Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
SiC
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247N-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
21 A
Rds On-漏源导通电阻
120 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.7 V
Vgs - 栅极-源极电压
- 4 V, 22 V
Qg-栅极电荷
38 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
103 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
系列
SCT3x
晶体管类型
1 N-Channel
商标
ROHM Semiconductor
正向跨导 - 最小值
2.7 S
下降时间
14 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
21 ns
工厂包装数量
450
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
23 ns
典型接通延迟时间
14 ns
零件号别名
SCT3120AL
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格，SCT3120ALGC11的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
1N5932CP/TR8
Microsemi
分立半导体
稳压二极管 Zener Voltage Regulator Diode
1,500:¥12.3735
4,500:¥11.9102
参考库存:40283
JANTX1N4106DUR-1/TR
Microsemi
分立半导体
稳压二极管
100:¥208.0104
200:¥190.9474
500:¥181.7266
参考库存:40288
JANTX1N4100DUR-1/TR
Microsemi
分立半导体
稳压二极管
100:¥242.3511
200:¥222.3727
参考库存:40293
JANTXV1N4115D-1
Microsemi
分立半导体
稳压二极管 Voltage Regulator
100:¥193.7159
250:¥177.7264
500:¥169.2062
参考库存:40298
JANTXV1N4117C-1/TR
Microsemi
分立半导体
稳压二极管
100:¥156.2903
200:¥143.4648
500:¥136.5492
参考库存:40303

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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