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分立半导体
SH8M11TB1参考图片

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SH8M11TB1

  • ROHM Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET Trans MOSFET N/P-CH 30V 3.5A
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数量单价合计
1
¥5.2206
5.2206
10
¥4.2827
42.827
100
¥2.7685
276.85
1,000
¥2.2148
2214.8
2,500
¥1.8758
4689.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ROHM Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOP-8
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel, P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
3.5 A
Rds On-漏源导通电阻
70 mOhms, 70 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V, 2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
1.9 nC, 4.2 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
晶体管类型
1 N-Channel, 1 P-Channel
商标
ROHM Semiconductor
下降时间
3 ns, 12 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
8 ns, 18 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
18 ns, 35 ns
典型接通延迟时间
4 ns, 9 ns
商品其它信息
优势价格,SH8M11TB1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
稳压二极管
100:¥115.3391
200:¥105.1917
500:¥98.3552
1,000:¥90.2079
参考库存:39952
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稳压二极管
1:¥407.0938
2:¥396.0311
5:¥385.1266
10:¥374.1317
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分立半导体
稳压二极管
100:¥14.9838
477:¥14.9838
500:¥13.447
1,000:¥11.30
2,500:¥10.7576
参考库存:39972
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    50万现货SKU

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