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分立半导体
STGW15M120DF3参考图片

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STGW15M120DF3

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, M series 1200 V, 15 A low loss
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数量单价合计
1
¥51.1777
51.1777
10
¥46.2622
462.622
25
¥44.1039
1102.5975
100
¥38.2618
3826.18
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
1.85 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
30 A
Pd-功率耗散
283 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
STGW15M120DF3
封装
Tube
商标
STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流
250 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
600
子类别
IGBTs
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格,STGW15M120DF3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Gen Pur SS
1:¥3.4578
10:¥2.938
100:¥1.8419
1,000:¥1.3786
参考库存:55148
分立半导体
肖特基二极管与整流器 Diode Schottky 40V 1A Vf=0.55V
1:¥4.1471
10:¥3.2657
100:¥1.5368
1,000:¥1.1526
3,000:¥1.02152
参考库存:60735
分立半导体
稳压二极管 5W 15V
1:¥6.6896
10:¥5.1528
100:¥4.4861
250:¥3.9098
3,000:¥2.3391
6,000:查看
参考库存:31417
分立半导体
肖特基二极管与整流器 7A Schottky 60Vrrm 275A 0.62Vf 1050pF
1:¥6.3732
10:¥5.3788
100:¥4.1358
500:¥3.6612
1,000:¥2.8815
5,000:¥2.8815
参考库存:43644
分立半导体
双向可控硅 400V 1A 10-10-10mA
1:¥8.0682
10:¥6.4749
100:¥4.9833
500:¥4.3957
1,000:¥3.4691
参考库存:18911
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    50万现货SKU

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